Semiconductor structure with improved on resistance and breakdown voltage performance

具有改善的开态电阻和击穿电压性能的半导体结构

Abstract

在一个实施方案中,横向FET单元被形成在半导体材料本体中。此横向FET单元包括形成在漏接触与本体区之间的漂移区中的超结结构。此超结结构包括多个分隔开的填充的沟槽,这些填充的沟槽部分地界定具有相反或交替的导电类型的多重条形掺杂区。

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